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#1 |
数量:2950 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:2950 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2792 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 FDMB3900AN |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 25V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 23 mOhm @ 7A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 17nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 890pF @ 13V |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 安装类型 | * |
| 包/盒 | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 包装材料 | * |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 23 mOhm @ 7A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 890pF @ 13V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 17nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-WDFN Exposed Pad |
| 其他名称 | FDMB3900ANCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Dual Drain |
| 外形尺寸 | 3 x 1.9 x 0.75mm |
| 身高 | 0.75mm |
| 长度 | 3mm |
| 最大连续漏极电流 | 7 A |
| 最大漏源电阻 | 33 mΩ |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1.6 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装类型 | MLP |
| 引脚数 | 8 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 11 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 650 pF V @ 13 |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 典型导通延迟时间 | 6 ns |
| 宽度 | 1.9mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 7 A |
| 系列 | FDMB3900AN |
| 单位重量 | 0.000002 oz |
| RDS（ON） | 23 mOhms |
| 功率耗散 | 1.6 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | MicroFET 3 x 1.9 |
| 漏源击穿电压 | 25 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 23 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| 技术 | Si |
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